저전력 OTP Memory IP 설계 및 측정

김정호; 장지혜; 김려연; 하판봉; 김영희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김정호 (창원대학교) 장지혜 (창원대학교) 김려연 (창원대학교) 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제14권 제11호

발행연도: 2010.11

수록면: 2,541 - 2,547 (7page)

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본 논문에서는 대기 상태에서 저전력 eFuse OTP 메모리 IP를 구현하기 위해 속도가 문제가 되지 않는 반복되는 블록 회로에서 1.2Ⅴ로직 트랜지스터 대신 누설 (off-leakage) 전류가작은 3.3Ⅴ의 MV(Medium Voltage)트랜지스터로 대체하는 설계기술을 제안하였다. 그리고 읽기 모드에서 RWL (Read Word-Line)과 BL의 기생하는 커패시턴스를 줄여 동작전류 소모를 줄이는 듀얼 포트 (Dual-Port) eFuse 셀을 사용하였다. 프로그램 전압에 대한 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 모의실험하기 위한 등가회로를 제안하였다. 하이닉스 90나노 CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 512비트 eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 크기는342㎛× 236㎛이며, 5Ⅴ의 프로그램 전압에서42개의 샘플을 측정한 결과 프로그램 수율은 97.6%로 양호한 특성을 얻었다. 그리고 최소 동작전원 전압은 0.9Ⅴ로 양호 하게 측정되었다.

#저전력 #이퓨즈 #오티피 메모리 #이미지 센서 #누설 전류 #low-power #eFuse #OTP memory #CMOS image sensor #off-leakage current

참고문헌 (7)

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1. [학술지(정기간행물)] - Hyouk-kyu Cha / 2006 / A 32-KB Standard CMOS Antifuse One-Time Programmable ROM Embedded in a 16-bit Micro-controller / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (9)

3. [학술대회논문] - M. Horiguchi / 1993 / Switched-source-impedance CMOS circuit for low standby subthreshold current giga-scale LSI's / Symp. VLSI Circuit, Digest of Technical Papers : 47 ~ 48

4. [학술지(정기간행물)] - T. Kawahara / 1993 / Sub-threshold current reduction for decoded-driver by self-reverse biasing / IEEE J. Solid-State Circuits 28 : 1136 ~ 1144

5. [학술지(정기간행물)] - D. Takashima / 1994 / Standby/active mode logic for sub-1-V operating ULSI memory / IEEE J. Solid-State Circuits 29 : 441 ~ 447

6. [학술대회논문] - N. Robson / 2007 / Electrically Programmable Fuse (eFuse): From Memory Redundancy to Autonomic Chips / Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference : 799 ~ 804

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