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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국신재생에너지학회 신·재생에너지 신재생에너지 제4권 제2호
발행연도
2008.6
수록면
68 - 73 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2015

The Surface Passivation of Hydrogenated Amorphous Silicon(a-Si:H) for a-Si:H/c-Si Hetero Junction Solar Cells
지광선 신소재공 2015.01 학위논문

2008

Spectroscopic Ellipsometer를 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 박막 분석
지광선 ,  어영주 ,  김범성 외 2명 신·재생에너지 2008.06 학술저널
Spectroscopic Ellipsometer를 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 박막 분석
지광선 ,  어영주 ,  김범성 외 2명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2008.05 학술대회자료

초록· 키워드

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It is very important that constitution of good hetero-junction interface with a high quality amorphous silicon thin films on very cleaned c-Si wafer for making high efficiency hetero-junction solar cells. For achieving the high efficiency solar cells, the inspection and management of c-Si wafer surface conditions are essential subjects. In this experiment, we analyzed the c-Si wafer surface very sensitively using Spectroscopic Ellipsometer for <{varepsilon}2> and u-PCD for effective carrier life time, so we accomplished <{varepsilon}2> value 43.02 at 4.25eV by optimizing the cleaning process which is representative of c-Si wafer surface conditions very well. We carried out that the deposition of high quality hydrogenated silicon amorphous thin films by RF-PECVD systems having high density and low crystallinity which are results of effective medium approximation modeling and fitting using spectroscopic ellipsometer. We reached the cell efficiency 12.67% and 14.30% on flat and textured CZ c-Si wafer each under AM1.5G irradiation, adopting the optimized cleaning and deposition conditions that we made. As a result, we confirmed that spectroscopic ellipsometry is very useful analyzing methode for hetero-junction solar cells which need to very thin and high quality multi layer structure.
#이종접합 #비정질 실리콘 #편광타원분석기 #태양전지 #에피성장 #Heterojunction #Amorphous Si #Ellipsometry #Solar cell #EMA #Epitaxial growth

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