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이용수
1998
1997
要約
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
參考文獻
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1998 .07
폴리사이드 구조에서의 게이트 산화막에 대한 공정특성 개선에 관한 연구 ( A Study on the Process Characteristics Approvement of Polycide Based Gate Electrode )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
폴리사이드 구조에서의 게이트 산화막에 대한 공정특성 개선에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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1999 .01
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전자공학회논문지-A
1996 .12
코발트 폴리사이드 게이트 전극 형성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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전자공학회논문지-A
1992 .12
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대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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1999 .01
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ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Ti-polycide gate의 gate oxide 신뢰성의 limitation 연구
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
RTP에 의한 W-Polycide막 특성
전기학회논문지
1991 .11
산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
텅스텐 폴리사이드를 이용한 게이트 산화막의 절연특성 개선에 관한 연구 ( A Study on the Dielectric characteristics improvement of gate oxide using tungsten policide )
전자공학회논문지-D
1997 .06
폴리사이드 형성 조건에 따른 WSix 박막 특성에 관한 연구
전기학회논문지 C
2003 .09
Emission Characteristics of Gated Mo-Polycide Field Emitter Arrays
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
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대한전자공학회 학술대회
1994 .01
A STUDY ON THE UNSTABILITY OF CONTACT RESISTANCE IN W(tungsten) POLYCIDE BIT LINE TO W POLYCIDE WORD LINE CONTACT
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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