텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 ( Breakdown Characteristics of Gate Oxide with Tungsten Polycide Electrode )

정회환; 이종현; 정관수

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정회환 이종현 정관수

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-A 전자공학회논문지 A편 제33권 제12호

발행연도: 1996.12

수록면: 2,385 - 2,390 (6page)

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