코발트 폴리사이드 게이트 전극 형성

심현상 ,  구본철 ,  배규식

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

SADS 법으로 형성한 코발트 폴리사이드 게이트의 전기적 특성

정연실 ,  구본철 ,  김시중 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

게이트를 상정한 코발트니켈 복합 실리사이드의 물성과 미세구조

김상엽 ,  송오성 ,  정영순

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

니켈 폴리사이드 게이트 전극 형성에 관한 연구

정연실 ,  김시중 ,  김주연 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

폴리사이드 구조에서 dual 게이트 산화막에 대한 공정특성 연구

엄금용 ,  노병규 ,  김종규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

폴리사이드 구조에서 dual 게이트 산화막에 대한 공정특성 연구 ( A Study on the process characteristics of polycide based dual gate oxidation )

엄금용 ,  노병규 ,  김종규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

폴리사이드 구조에서의 게이트 산화막에 대한 공정특성 개선에 관한 연구 ( A Study on the Process Characteristics Approvement of Polycide Based Gate Electrode )

엄금용 ,  홍성표 ,  노병규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

폴리사이드 구조에서의 게이트 산화막에 대한 공정특성 개선에 관한 연구

엄금용 ,  홍성표 ,  노병규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

급속 열처리 장치에 의한 코발트 실리사이드 형성과 성장에 관한 연구 ( A Study on the Formation and Growth of Cobalt Silicide by Rapid Thermal Processor )

박종성 ,  박세근

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

다결정 실리콘 기판 위에 형성된 나노급 니켈 코발트 복합살리사이드의 미세구조 분석

송오성

한국산학기술학회 논문지

2007 .04

복합 코발트 실리사이드 공정에 따른 게이트 산화막의 특성변화

송오성 ,  정성희 ,  이상돈 외 2명

한국재료학회지

2003 .01

텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 ( Breakdown Characteristics of Gate Oxide with Tungsten Polycide Electrode )

정회환 ,  이종현 ,  정관수

전자공학회논문지-A

1996 .12

니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구

김상엽 ,  송오성

한국재료학회지

2007 .01

코발트 니켈 복합 실리사이드 공정에서 하부 형상에 따른 잔류 금속의 형상 변화

송오성 ,  김상엽

한국산학기술학회 논문지

2005 .06

코발트/니켈 적층구조 박막으로부터 형성된 복합실리사이드

송오성 ,  정성희 ,  김득중 외 1명

한국재료학회지

2004 .01

W-Polycide Gate Etch 공정에 관한 연구 ( Development of W-Polycide Gate Etch Process )

신철호 ,  이정길 ,  안태혁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

MOS 소자에서 Titanium 폴리사이드 게이트에 의한 산화막 열화 ( Thin Oxide Degradation by Titanium-Polycide Gate in MOS Device )

박진성 ,  이우성 ,  정동진 외 7명

전자공학회논문지-A

1992 .12

In-Situ 코발트실리사이드 형성에 미치는 증착온도와 증착분위기의 영향 ( Effect of Deposition Temperature and Sputtering Ambient on the In-Situ Cobalt Silicide Formation )

변정수 ,  박지수 ,  박진원 외 1명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

Titanium과 Cobalt silicide의 연구

김상용 ,  유석빈 ,  서용진 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

p+ / n 접합이 형성된 Si ( 100 ) 기판위에 코발트 / 탄탈륨 이중박막을 이용한 극히 얇은 코발트실리사이드 박막의 성장 ( The Formation of an Ultra-thin Cobalt Silicide ( CoSi2 ) Layer on the Pre-Existing P+ / n Junction Using Co / Ta Bilayer )

변정수 ,  김우식 ,  김형준

대한전자공학회 학술대회

1992 .11