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지홍구 (한국전자통신연구원) 노윤섭 (한국전자통신연구원) 최윤호 (한국전자통신연구원) 곽창수 (한국전자통신연구원) 염인복 (한국전자통신연구원) 서인종 (에이스테크놀로지) 박형진 (에이스테크놀로지) 조인호 (에이스테크놀로지) 남병창 (유텔) 공동욱 (알에프코어)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第26卷 第12號
발행연도
2015.12
수록면
1,083 - 1,090 (8page)

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Ka 대역의 25 W급 SSPA를 제작하기 위하여 상용 0.15 μm GaN 공정을 이용 구동증폭기(Drive Amplifier : DRA) 및 고출력증폭기(High Power Amplifier : HPA) 초고주파 단일 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC)를 설계 및 제작하여 특성 평가하였고, SSPA(Solid State Power Amplifier)의 주요 부속품인 MS-to-WR28 변환기 및 WR28 전력합성기를 설계 및 제작, 평가하여 Ka 대역 GaN 기반 SSPA를 제작하였다. 제작 결과, 주파수 29~31 GHz 대역에서 포화출력 44.2 dBm 이상, 전력부가효율 16.6 % 이상, 전력이득 39.2 dB의 특성을 나타내었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SSPA 구성
Ⅲ. SSPA 구성품
Ⅳ. SSPA 제작 및 특성 평가
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (5)

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