X-대역 레이더용 SSPA 모듈 설계 및 제작

양성수

doi:http://dx.doi.org/10.13067/JKIECS.2018.13.5.943

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자료유형: 학술저널

저자정보: 양성수 (동신대학교)

저널정보: 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제13권 제5호

발행연도: 2018.10

수록면: 943 - 948 (6page)

DOI: http://dx.doi.org/10.13067/JKIECS.2018.13.5.943

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본 논문에서는 GaN MMIC를 활용하여 X-band 레이더용 SSPA모듈을 설계 및 제작하였다. SSPA의 구동 증폭기 단은 Gain Loss를 감안하여 GaN MMIC를 2단으로 구성하였다. 그리고 고출력 SSPA 모듈 구성을 위해 전력증폭단을 4단으로 설계함에 따라 전력분배기와 전력합성기는 4way 방식으로 설계하였다. 제작된 전력분배기는 -3.0dB 이상의 손실을 나타내었으며, 전력합성기는 -0.2dB의 입출력 손실과 각 포트 간 위상차는 평균 2°로 양호한 특성을 보이고 있다. 제작한 SSPA모듈 실험 측정 결과 9∼10GHz 주파수 대역에서의 Gain은 48.0dB 이상인 것을 확인하였으며, P(sat)=88.3W (49.46dBm) 이상, PAE=30.3% 이상임을 확인하였다. 본 논문에서 제작된 X-Band SSPA 모듈 성능 확인과 전력분배기/합성기 개선을 통해 향후 SSPA모듈에 대한 RF성능 개선에 많이 활용될 수 있을 것이다.

#SSPA #Power Amp #GaN #MMIC #HPA #X-band

참고문헌 (10)

참고문헌 신청

U. Mishra / 2002 / AlGaN/ GaN HEMTs-an overview of device operation and applications / Pro. IEEE 90(6):1022~1031

B. Ivan / 2007 / Practical design comparison between highpower GaAs MESFET and GaN HEMT / High Frequency Electronics 6(10):18~28

W. Melvin / 2012 / Principles of Modern Radar : Advanced Techniques / SciTech Publishing

S. Allen / 1997 / Silicon carbide MESFETs for high-power S-band application / IEEE Int. Symp. Digest 1:57~60

김기래 / 2014 / X-대역 레이더용 국부 발진기의 설계 및 구현 / 한국전자통신학회 논문지 9(11):1215~1220

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