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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.7
- 수록면
- 32 - 39 (8page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2024.61.7.32
이용수
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본 논문에서는 도파관 공간 결합을 통해 결합 손실을 최소화하고 고효율, 고출력 성능을 목표로 하는 Ka-대역 반도체형 송신기(Solid-State Power Amplifier:SSPA) 설계 및 제작, 성능시험 결과를 기술하였다. 제작한 송신기는 18 채널의 전력 증폭기 구조로 구성되어 있으며, 전력 분배 및 결합을 위해 도파관 WR-28 규격의 18-way 공간 결합 구조를 갖는 공간 분배기를 최적화 설계 및 정밀 제작하였다. 각 채널을 구성하는 전력 증폭기는 높은 출력과 효율을 위하여 GaN 화합물 소자의 MMIC를 적용하였고 최대 출력에서 5 ns 이하의 고속 펄스 스위칭 성능을 확인하였다. 시험을 통하여, 제안된 Ka-대역 SSPA는 54 ㏈m 이상의 첨두 전력 및 52 ㏈c 이상의 불요파 특성을 가지는 것으로 확인되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 반도체형 송신기(SSPA) 구성품 설계 및 제작
Ⅲ. Ka-대역 반도체형 송신기 제작 및 시험 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
Eric F. Nicol, Bill J. Mangus, John R. Grebliunas, Kyle Woolrich, and James R.Schirmer, “TWTA versus SSPA: A Comparison Update of the Boeing Satellite Fleet On-Orbit Reliability”, 2013 IEEE 14th International Vacuum Conference (IVEC), 2013.
Xiaodong Jing, Hailong Wang, Fei You, Yanjiang Wei, Lin Chen, and Yi Yang, “A Comparison of SSPA and TWTA for Beidou Navigation Satellite System”, 2021 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT), 2021.
Matthew Casto, Mark Lampenfeld, Pengcheng Jia, Patrick Courtney, Scott Behan, Paul Daughenbaugh, and Rick Worley, “l00W X-Band GaN SSPA for Medium Power TWTA Replacement”, WAMICON 2011 Conference Proceedings, 2011.
Inder J. Bahl, “Fundamental of RF and Microwave Transistor Amplifier,” John Wiley & Sons, Inc. Canada, pp. 62, 2009.
Andong Huang, ZhengZhong, and Yongxin Guo, WenWu, “Temperature Dependent Empirical Model for AlGaN/GaN HEMTs Including Charge Trapping and Self-Heating Effects”, 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017.
Xiaodong Jing, Hailong Wang, Fei You, Yanjiang Wei, Lin Chen, and Yi Yang, “A Comparison of SSPA and TWTA for Beidou Navigation Satellite System”, 2021 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT), 2021.
Matthew Casto, Mark Lampenfeld, Pengcheng Jia, Patrick Courtney, Scott Behan, Paul Daughenbaugh, and Rick Worley, “l00W X-Band GaN SSPA for Medium Power TWTA Replacement”, WAMICON 2011 Conference Proceedings, 2011.
Inder J. Bahl, “Fundamental of RF and Microwave Transistor Amplifier,” John Wiley & Sons, Inc. Canada, pp. 62, 2009.
Andong Huang, ZhengZhong, and Yongxin Guo, WenWu, “Temperature Dependent Empirical Model for AlGaN/GaN HEMTs Including Charge Trapping and Self-Heating Effects”, 2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017.
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