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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이주영 (Seokyeong Unversity)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제20권 제3호
발행연도
2016.9
수록면
295 - 298 (4page)

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본 논문에서는 기존 ESD 보호소자인 SCR과 MVSCR, LVTSCR의 Turn-on-Time 및 전기적 특성을 시놉시스사의 T-Cad 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 분석결과 세 소자 모두 대략 2V 에서 3V 내외의 홀딩전압 특성을 보였으며, SCR은 약 20V의, MVSCR은 약 12V, LVTSCR은 9V로 순차적으로 개선된 트리거 특성을 보였다. 턴-온 타임 시뮬레이션 결과는 SCR이 2.8㎱, MVSCR과 LVTSCR은 각각 2.2㎱, 2.0㎱로 LVTSCR이 가장 짧은 턴-온 특성을 보였다. 반면 IT2 는 SCR이 약 7.7A, MVSCR은 5.5A LVTSCR은 4A의 특성을 보였으므로 I/O 및 파워 클램프 단에 적용 시 동작전압에 따른 최적화된 소자를 선택해야 한다.
#ESD #ESD Protection #SCR #Latch-up #MVSCR #LVTSCR

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

참고문헌 (5)

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[학술지(정기간행물)] - 김현영 / 2015 / SCR 기반 양방향성 ESD보호회로의 설계 변수 변화에 따른 전기적 특성의 관한 연구 / 전기전자학회논문지 19 (2) : 265 ~ 270 dbpia [학술지(정기간행물)] - 정진우 / 2011 / 낮은 순방향 전압 강하와 높은 래치-업 특성을 갖는 이중-에미터 구조의 LIGBT에 관한 분석 / 전기전자학회논문지 15 (2) : 164 ~ 170 dbpia [단행본] - Amerasekera A. / 2002 / ESD in Silicon Integrated Circuits / John Wiley and Sons google schola [단행본] - O. Semenov / 2008 / ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies / Springer google schola [학술대회논문] - R.G Wagner / 1993 / Extend and Cost of EOS/ESD Damage in an IC Manufacturing Process / Porc. of the 15t EOS/ESD Symp : 49 ~ 55 google schola

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