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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
서정윤 (DanKook Unversity) 도경일 (DanKook Unversity) 채희국 (DanKook Unversity) 서정주 (DanKook Unversity) 구용서 (DanKook Unversity)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제22권 제3호
발행연도
2018.9
수록면
836 - 841 (6page)

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본 논문에서는 대표적인 ESD 보호회로인 SCR, LVTSCR을 기반으로 하여 특정한 어플리케이션의 요구 전압에 맞추어 설계하기 위한 Stack 기술에 대하여 서술한다. 또한 기존 구조와는 다른 SCR 기반의 ESD 보호회로를 제시하여 Stack기술에 적용함으로써, 주요 파라미터인 트리거 전압과 홀딩 전압의 변동에 대하여 검증한다. 새로이 추가되는 SCR 기반의 보호회로의 경우 추가적인 N+, P+ 영역의 삽입으로 인해 보다 높은 홀딩 전압을 갖는 ESD 보호회로이다. 또한 시놉시스사의 T-CAD 시뮬레이터를 이용하여 제안된 ESD 보호회로의 전기적 특성을 검증을 실시하였다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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