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저자정보
Young-Woo Jo (Kyungpook National University) Dong-Hyeok Son (Kyungpook National University) Chul-Ho Won (Kyungpook National University) Jung-Hee Lee (Kyungpook National University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2016.11
수록면
945 - 949 (5page)

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In this letter, we report the Normally-Off AlGaN/GaN MOSHEMT by using damage-free one-step tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) wet recess etching process. The investigated device demonstrated a threshold voltage (V<SUB>th</SUB>) of + 0.9 V at V<SUB>DS</SUB> = 0.1 V, with maximum drain current of 210 mA/mm, maximum transconductance of 72 mS/mm at V<SUB>DS</SUB> = 7V and V<SUB>GS</SUB> = 5 V. In addition, enhanced performances such ad low off-state leakage current of ∼ 10<SUP>-14</SUP> A, high I<SUB>ON</SUB>/I<SUB>OFF</SUB> ratio of 10<SUP>10</SUP> and high breakdown voltage of ∼ 820 V were obtained. Furthermore, negligible hysteresis of threshold voltage (∼ 20 mV) is observed due to the suppression of the plasma induced surface damage at the recessed region after using one-step TMAH wet etching reduces charge trapping.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Growth and device fabrication
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Conclusion
References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-569-001930902