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논문 기본 정보

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Ji Yeon Jeon (Hanwha Thales) Sang Gyun Kim (Kwangwoon University) Seung Hwan Jung (Silicon R&D) In Bok Kim (LIGNEX1) Yun Seong Eo (Kwangwoon University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.6
발행연도
2016.12
수록면
754 - 759 (6page)

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A transformer feedback low-noise amplifier (LNA) is implemented in a standard 0.18 μm CMOS process, which exploits drain-to-gate transformer feedback technique for wideband input matching and operates across entire 3~5 GHz ultra-wideband (UWB). The proposed LNA achieves power gain above 9.5 dB, input return loss less than 15.0 dB, and noise figure below 4.8 dB, while consuming 8.1 mW from a 1.8-V supply. To the authors’ knowledge, drain-to-gate transformer feedback for wideband input matching cascode LNA is the first adopted technique for UWB application.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PROPOSED D-G REACTIVE FEEDBACK TOPOLOGY
Ⅲ. CIRCUIT DESCRIPTION
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (9)

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