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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.11
- 수록면
- 37 - 40 (4page)
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In this work, a junctionless field-effect transistor in the FinFET structure (JL FinFET) having poly-Si channel has been designed and characterized for 10-nm-and-beyond technology node. Replacing silicon-on-insulator (SOI) by bulk Si substrate featuring deposited oxide and poly-Si would warrant highly cost-effective process integration. It is demonstrated from the device simulation results with higher accuracy and credibility aided by multiple models including quantum mechanical models in drift diffusion that the poly-Si JL FinFET has the strong potential for 10-nm-and-beyond Si CMOS technology with little deviation in comparison with the JL FinFET with crystalline Si channel.
목차
Abstract
I. 서론
II. 설계 방법(Design Approach)
Ⅲ. 시뮬레이션 결과(Simulation Results)
Ⅳ. 결론
참고문헌
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