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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.23 No.6
- 발행연도
- 2023.12
- 수록면
- 382 - 388 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2023.23.6.382
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As a next-generation memory, resistive random-access memory (ReRAM) is an emerging memory device owing to its high cell scalability suitable to high-density memory array, data nonvolatility, and high operation speeds. A compact model of an ReRAM with HfO₂ as the switching layer material is developed for circuit and system-level simulations in this work. The developed model enables higher level simulation tasks not only for the memory cell operations in the highly packed array and but also for describing the synaptic behaviors in the hardware neuromorphic systems. Inherently dynamic cell operation characteristics and cell-to-cell variability are reflected for more accurate higherlevel simulations. The model is validated by the device characteristics experimentally obtained in the existing reports. The representation of multi-level conductance values by controlling the compliance current has been fused into the compact model.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PHYSICS AND PARAMETERS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
S. Cho, “Volatile and Nonvolatile Memory Devices for Neuromorphic and Processing-in-Memory Applications,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 22, no. 1, pp. 30-46, Feb. 2022.
Z. Jiang, et al., “A Compact Model for Metal-Oxide Resistive Random Access Memory With Experiment Verification,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1884-1892, May 2016.
H. S. P. Wong, H. Y. Lee, S. Yu, Y.-S. Chen, Y. Wu, P.-S. Chen, B. Lee, F. T. Chen, and M.-J. Tsai, “Metal-Oxide RRAM,” Proc. IEEE, vol. 100, no. 6, pp. 1951-1970, Jun. 2012.
J. Reuben, D. Fey, and C. Wenger, “A Modeling Methodology for Resistive RAM Based on Stanford-PKU Model With Extended Multilevel Capability,” IEEE Trans. Nanotechnol., vol. 18, no. 7, pp. 647-656, Jun. 2019.
H. Li, P. Huang, B. Gao, B. Chen, X. Liu, and J. Kang, “A SPICE Model of Resistive Random Access Memory for Large-Scale Memory Array Simulation,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 2, pp. 211-213, Feb. 2014.
Z. Jiang, et al., “A Compact Model for Metal-Oxide Resistive Random Access Memory With Experiment Verification,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1884-1892, May 2016.
H. S. P. Wong, H. Y. Lee, S. Yu, Y.-S. Chen, Y. Wu, P.-S. Chen, B. Lee, F. T. Chen, and M.-J. Tsai, “Metal-Oxide RRAM,” Proc. IEEE, vol. 100, no. 6, pp. 1951-1970, Jun. 2012.
J. Reuben, D. Fey, and C. Wenger, “A Modeling Methodology for Resistive RAM Based on Stanford-PKU Model With Extended Multilevel Capability,” IEEE Trans. Nanotechnol., vol. 18, no. 7, pp. 647-656, Jun. 2019.
H. Li, P. Huang, B. Gao, B. Chen, X. Liu, and J. Kang, “A SPICE Model of Resistive Random Access Memory for Large-Scale Memory Array Simulation,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 2, pp. 211-213, Feb. 2014.
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