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본 논문에서는 Latch-up 면역과 우수한 면적 효율성을 갖는 고전압용 ESD 보호회로를 제안한다. 제안된 회로는 기존의 SCR에 대하여 플로팅 영역 삽입과 세그먼트 레이아웃 기법을 적용함에 따라 매우 높은 홀딩 전압을 갖는다. 제안된 ESD 보호회로는 세그먼트 레이아웃 기법을 이용하여 높은 면적 효율을 지닌다. 제안된 소자는 일반적인 SCR의 3.39V의 홀딩 전압과 비교하여 21.67V의 높은 홀딩 전압을 가진다. 제안된 소자의 전기적 특성은 Synopsys사의 TCAD를 통해 검증하였으며, 0.18 BCD 공정을 이용한 실제 제작을 통해 증명하였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안된 ESD 보호회로
Ⅲ. 레이아웃 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
[단행본] - A. Wang / 2002 / On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits / Springer
[학술대회논문] - C. Russ / 1998 / Non-uniform triggering of gg-nMOSt investigated by combined emission microcopy and transmission line pulsing / Proceedings of Electrical Overstress / Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD1998) : 177 ~ 186
[학술지(정기간행물)] - 이주영 / 2016 / SCR, MVSCR, LVTSCR의 Turn-on time 및 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자학회논문지 20 (3) : 295 ~ 298
[학술대회논문] - O. Quittard / 2006 / ESD protection for high-voltage CMOS technologies / Proceedings of Electrical Overstress / Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD 2006) : 77 ~ 86
[학술지(정기간행물)] - Zhiwei Liu / 2008 / Novel Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for High-Voltage Electrostatic Discharge (ESD) Applications / IEEE Electron Device Letters 29 (7) : 753 ~ 755
[학술대회논문] - C. Russ / 1998 / Non-uniform triggering of gg-nMOSt investigated by combined emission microcopy and transmission line pulsing / Proceedings of Electrical Overstress / Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD1998) : 177 ~ 186
[학술지(정기간행물)] - 이주영 / 2016 / SCR, MVSCR, LVTSCR의 Turn-on time 및 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자학회논문지 20 (3) : 295 ~ 298
[학술대회논문] - O. Quittard / 2006 / ESD protection for high-voltage CMOS technologies / Proceedings of Electrical Overstress / Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD 2006) : 77 ~ 86
[학술지(정기간행물)] - Zhiwei Liu / 2008 / Novel Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for High-Voltage Electrostatic Discharge (ESD) Applications / IEEE Electron Device Letters 29 (7) : 753 ~ 755
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