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학술저널
저자정보
Seunghyun Kim (Seoul National University) Sang-Ho Lee (Institute of Electronics and Information Engineers (IEIE)) Sang-Ku Park (Seoul National University) Youngmin Kim (Gachon University) Seongjae Cho (Gachon University) Byung-Gook Park (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
발행연도
2017.10
수록면
584 - 590 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2017.17.5.584

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In this paper, we investigate the retention characteristics cause by loss of trapped charges in charge-trap NAND flash memory. We fabricated silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices having different widths and lengths for setting up a more accurate retention model. For higher accuracy in the measurement results, we have set up a fast-response measurement scheme to have a closer look at the retention characteristics, using a waveform generator and a fast-measurement unit. Drain current can be measurement immediately after a program operation with a μs-level resolution. Transient analysis on the retention characteristics over a very short time period is performed along with the long-time measurement results. As the result, a more succinct set of clues for understanding the initial charge loss and the charge redistribution are provided.
#Retention #charge-trap flash #NAND #SONOS #charge loss #transient analysis

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. FABRICATION PROCESS AND MEASUREMENT SCHEME
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
K. Kim and J. Choi, “Future Outlook of NAND Flash Technology for 40nm Node and Beyond,” Proc. IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop (NVSMW) 2006, pp. 9?11, Feb. 2006. M. Park, J.-D. Choi, S.-H. Hur, J.-H. Park, J.-H. Lee, J.-T. Park, J.-S. Sel, J.-W. Kim, S.-B. Song, J.- Y. Lee, J.-H. Lee, S.-J. Son, S.-J. Chai, J.-T. Kim, and K. Kim, “Effect of low-K dielectric material on 63nm MLC (Multi-Level Cell) NAND Flash cell arrays,” IEEE International Symposium on VLSITSA 2005, pp. 37?38, Apr. 2005. D. Kang, H. Shin, S. Chang, J. An, K. Lee, J. Kim, E. Jeong, H. Kwon, E. Lee, S. Seo, and W. Lee, “The Air Spacer Technology for Improving the Cell Distribution in 1 Giga Bit NAND Flash Memory,” Proc. IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop (NVSMW) 2006, pp. 36?37, Feb. 2006. H. Kim, S. Cho, M. ?C. Sun, J. Park, S. Hwang, and B.-G. Park, “Synaptic Transistor with Shortand Long-Term Memory Functions and Its Spike Timing-Dependent Plasticity,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 16, no. 5, pp. 657?663, Oct. 2016. W. Y. Choi, D. S. Kim, T. H .Lee, Y. J. Kwon, S.- K. Park, and G. Yoon, “Influence of Electron and Hole Distribution on 2T SONOS Embedded NVM,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 16, no. 5, pp. 624?629, Oct. 2016.

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