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학술저널
저자정보
김경열 (성균관대학교) 민경득 (성균관대학교) 김용일 (성균관대학교) 윤정원 (한국생산기술연구원) 정승부 (성균관대학교)
저널정보
대한용접·접합학회 대한용접·접합학회지 大韓熔接·接合學會誌 第37卷 第2號
발행연도
2019.4
수록면
1 - 6 (6page)

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The wider band gap, higher thermal conductivity and larger critical electric field allow SiC devices to operate at higher temperatures, higher current density and higher blocking voltages than Si power devices. Therefore, the SiC base power module for electric vehicle can operate well over 400℃. The mechanical strength of ultrasonic bonded Cu terminal and AMB (Active metal brazing) substrate was evaluated with various bonding load and bonding times. AMB substrate consisted of 300 ㎛ copper layer and 320 ㎛ Si3N4 substrate in thickness, respectively. Also bonding strength of the Cu terminal and AMB substrate was investigated with high temperature storage (HTS) test and thermal shock (TS) test. The shear test was conducted with 200 ㎛ of shear height and 200 ㎛/s of shear speed. The cross-sectional micrographs in Cu terminal and AMB substrate consisted of unbonded zone and bonded zone. As a whole, fracture was induced at the interface between Cu terminal and AMB substrate. The highest shear strength was 41.5 MPa at 50 kgf of bonding load for 1.25 s in bonding time.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 결론
References

참고문헌 (22)

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