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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 107 - 112 (6page)
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높은 광흡수 계수를(1 × 105cm−1) 가지는 CIGS는 Ga의 비율에 따라서 밴드갭을 조절할 수 있다는 장점을 지니고있다. CIGS의 밴드갭은 Ga의 비율에 따라 CuInSe2(Eg: 1.0 eV)에서 CuGaSe2(Eg: 1.68 eV)까지의 범위에 존재하며, 태양전지에서 이상적인 fill factor 모양을 가지도록 Ga의 비율을 높게 조성한다. CIGS 흡수층을 제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 N2 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-Al2O3 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다.
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참고문헌 (11)
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F. Hergert, J / 2006 / A crystallographic description of experimentally identified formation reactions of Cu(In,Ga)Se2 / Solid State Chemistry 179 (8) : 2394 ~
H. Tototzintle-Huitle / 2007 / (0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based ABC2 chalcopyrites / J. Phys. Chem. Solids. 68 (1) : 1 ~
I. Repins / 2008 / Characterization of 19.9 %-efficienct CIGS absorbers / IEEE Photovoltaics Specialists Conference Record : 33 ~
J. Kessler / 2000 / New world record Cu (In,Ga) Se2 based mini-module: 16.6 % / Proceedings of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference : 2057 ~
J. Olejniek / 2010 / A non-vacuum process for preparing nanocrystalline CuIn1?xGaxSe2 materials involving an open-air solvothermal reaction / Sol. Energy Mater. 94 (1) : 8 ~
H. Tototzintle-Huitle / 2007 / (0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based ABC2 chalcopyrites / J. Phys. Chem. Solids. 68 (1) : 1 ~
I. Repins / 2008 / Characterization of 19.9 %-efficienct CIGS absorbers / IEEE Photovoltaics Specialists Conference Record : 33 ~
J. Kessler / 2000 / New world record Cu (In,Ga) Se2 based mini-module: 16.6 % / Proceedings of 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference : 2057 ~
J. Olejniek / 2010 / A non-vacuum process for preparing nanocrystalline CuIn1?xGaxSe2 materials involving an open-air solvothermal reaction / Sol. Energy Mater. 94 (1) : 8 ~
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