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Basic 암모노써멀 방법을 사용하여 벌크 GaN 단결정을 성장시켰다. 종자 결정은 Hydride vapor phase epitaxy법으로 성장한 c면의 GaN 템플릿을 사용하고 광화제는 sodium metal, amide, azide를 사용하였다. 결정 성장 온도는 500~ 600 o C, 성장 압력은 2~3 kabr에서 실시하였다. c 축의 결정 성장 속도는 운용 압력이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다.
Cathodoluminescence로 측정한 평균 전위 밀도는 1 × 10 5 /cm 2였다. Double Crystals X-ray Diffraction로 측정한 (002)면의 반치폭은 Ga 면에 대해서는 약 270 arcsec, N 면에 대해서는 약 80 arcsec이었다.
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H. Jacobs / 1982 / Current Topics in Material Science / North-Holland Publishing Co :383
R. Dwiliński / 1995 / GaN synthesis by ammonothermal method / Acta Physica Polonica A 88:833
R. Kucharski / 2012 / Non-polar and semipolar ammonothermal GaN substrates / Semiconductor Science and Technology 27:024007
R. Dwilinski / 2011 / Ammonothermal GaN substrates: Growth accomplishments and applications / Physica Status Solidi 208:1489
D. Ehrentraut / 2013 / High quality, low cost ammonothermal bulk GaN substrates / Jpn. J. Appl. Phys 52:08JA01
R. Dwiliński / 1995 / GaN synthesis by ammonothermal method / Acta Physica Polonica A 88:833
R. Kucharski / 2012 / Non-polar and semipolar ammonothermal GaN substrates / Semiconductor Science and Technology 27:024007
R. Dwilinski / 2011 / Ammonothermal GaN substrates: Growth accomplishments and applications / Physica Status Solidi 208:1489
D. Ehrentraut / 2013 / High quality, low cost ammonothermal bulk GaN substrates / Jpn. J. Appl. Phys 52:08JA01
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