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본 연구에서는 수평형 HVPE 장비를 이용하여 AlN/PSS template 위에 GaN 막을 성장하였다. 성장된 GaN 막은 표면구조가 눈에 띄게 개선되었다. 투과율 측정에서는 사파이어 기판위에 성장된 GaN 막 보다 모든 영역에서 투과율이 감소하였다. HR-XRD 측정에서는 반치폭이 (002)와 (102)에서 196, 208 arcsec로 사파이어 위에 성장한 GaN 막과 비교하여 결함이 감소한것을 확인하였다. 또한, 라만측정에서는 잔류응력이 감소하였고, 투과율 측정을 통해서 알아본 스트레스 상태와 동일하게 인장응력 나타냈다. AlN/PSS template 위에 성장한 GaN 막은 결정성이 향상되고 잔류응력을 감소하는데 효과적인 확인할 수 있었다.

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