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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 7 - 11 (5page)
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본 논문은 3차원 낸드 플래쉬 기억 소자에 적용을 위해 소노스(SONOS) 형태로 기억 저장 절연막을 채용하고채널로 폴리실리콘을 사용한 박막형 트랜지스터에 대해 연구하였다. 셀의 source/drain에는 불순물을 주입 하지 않았고, 셀양 끝단에는 선택 트랜지스터를 배치하였다. 셀의 채널과 선택 트랜지스터의 source/drain 불순물 농도 변화에 대한 평가를 진행하여 공정 최적화를 하였다. 선택 트랜지스터의 농도 증가 시 채널 전류의 상승 및 삭제특성이 개선됨을 확인 하였는데 이는 GIDL에 의한 홀 생성이 증가하였기 때문이다. 최적화된 공정 변수에 대해 삭제와 쓰기 후 문턱전압의 프로그램 윈도우는 대략 2.5V를 얻었다. 터널 산화막 공정 온도에 대한 평가 결과 온도 증가 시 swing 및 신뢰성 항목인 bake 결과가 개선됨을 확인하였다.
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A. Ghetti / 2009 / Comprehensive analysis of random telegraph noise instability and its scaling in deca-nanometer Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 56 (8) : 1746
A. Maconi / 2012 / Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices / Solid-State Electronics 74
C. M. Compagnoni / 2008 / Statistical model for random telegraph noise in Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 55 (1) : 388 ~
C. Y. Kang / 2010 / Barrier engineering in metal-aluminum oxidenitride-oxide-silicon (MANOS) flash memory / Current Applied Physics 10 (1) : 27 ~
G. Fortunato / 1997 / Polycrystalline silicon thin-film transistors: A continuous evolving technology / Thin Solid Films 296 : 82 ~
A. Maconi / 2012 / Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices / Solid-State Electronics 74
C. M. Compagnoni / 2008 / Statistical model for random telegraph noise in Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 55 (1) : 388 ~
C. Y. Kang / 2010 / Barrier engineering in metal-aluminum oxidenitride-oxide-silicon (MANOS) flash memory / Current Applied Physics 10 (1) : 27 ~
G. Fortunato / 1997 / Polycrystalline silicon thin-film transistors: A continuous evolving technology / Thin Solid Films 296 : 82 ~
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