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한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제26권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
15 - 22 (8page)

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In these days, importance of the power electronic devices and modules keeps increasing due to electric vehicles and energy saving requirements. However, current silicon-based power devices showed several limitations. Therefore, wide band gap (WBG) semiconductors such as SiC, GaN, and Ga2O3 have been developed to replace the silicon power devices. WBG devices show superior performances in terms of device operation in harsh environments such as higher temperatures, voltages and switching speed than silicon-based technology. In power devices, the reliability of the devices and module package is the critically important to guarantee the normal operation and lifetime of the devices. In this paper, we reviewed the recent trends of the power devices based on WBG semiconductors as well as expected future technology. We also presented an overview of the recent package module and fabrication technologies such as direct bonded copper and active metal brazing technology. In addition, the recent heat management technologies of the power modules, which should be improved due to the increased power density in high temperature environments, are described.

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N. Dharmarasu / 2019 / AlGaN/GaN HEMT grown on SiC with carbon doped GaN buffer by MOCVD / Electron Devices Technology and Manufacturing Conference(EDTM) :434 google schola S. S. Moosavi / 2019 / A comparison of various open-circuit fault detection methods in the IGBTbased DC/AC inverter used in electric vehicle / Engineering Failure Analysis 96:223 google schola X. Liang / 2019 / A 12.47 kV Medium Voltage Input 350 kW EV Fast Charger using 10 kV SiC MOSFET / 2019 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) :581 google schola 윤정원 / 2014 / 전기자동차용 고신뢰성 파워모듈 패키징 기술 / 마이크로전자 및 패키징학회지 21(4):1~13 dbpia P. Roussel / 2011 / SiC Market and Industry Update, International SiC Power / Electronics Applications Workshop (ISiCPEAW) google schola

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