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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 945 - 949 (5page)
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We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also fabricate PN junction light emitting diode (LED) to investigate the effect of the SiN mask on its optical property. By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum (FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec and threading dislocation (TD) density decreased from 3.21×109 cm-2 to 9.7×108 cm-2. The output power of the LED with a SiN mask increased from 198 mcd to 392 mcd at 20 mA. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GaN layer.
목차
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/ 1986. / Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer 48 (5) : 353 ~
/ 1997. / Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition 70 (4) : 420 ~
/ 1997. / The Blue Laser Diode GaN Based Light Emitters and Lasers : 163 ~
/ 1997. / Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy 36 (7b) : 899 ~
/ 1998. / GaN based transistors for high power applications (12) : 2131 ~
/ 1997. / Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition 70 (4) : 420 ~
/ 1997. / The Blue Laser Diode GaN Based Light Emitters and Lasers : 163 ~
/ 1997. / Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy 36 (7b) : 899 ~
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