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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제6호
발행연도
2006.1
수록면
531 - 537 (7page)

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A micromachined piezoelectric microspeaker was fabricated with a highly c-axis oriented ZnO thin film on a silicon-nitride film having compressive residual stress. When it was measured 3 mm away from the microspeaker in open field, the largest sound pressure level produced by the fabricated microspeaker was about 91 dB at around 2.9 kHz for the applied voltage of 6 Vpeak-to-peak. The key technologies to these successful results were as follows: (1) the usage of a wrinkled diaphragm caused by the high compressive residual stress of silicon-nitride thin film, (2) the usage of the highly c-axis oriented ZnO thin film.

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