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- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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High performance Si0.8Ge0.2 heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) were fabricated using well-controlled delta-doping of boron and Si0.8Ge0.2/Si heterostructure epitaxal layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition. In this paper, we report 1/f noise characteristics of the SiGe pMOSFETs measured under various bias conditions of the gate and drain voltages changing in linear operation regions. From the noise spectral density, we found that the gate and drain voltage dependence of the noise represented same features, as usually scaled with f-1. However, 1/f noise was found to be much lower in the device with boron delta-doped layer, by a factor of 10-1~10-2 in comparison with the device fabricated without delta-doped layer. 1/f noise property of delta-doped device looks important because the device may replace bipolar transistors most commonly embedded in high-frequency oscillator circuits.
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/ 1957. / Semiconductor surface physics philadelpia : 27 ~
/ 1981. / Experimental studies in 1/f noise 44 (5) : 497 ~
/ 1990. / A unified model for the flicker noise in metal-oxide-semiconductor field effect transistor 37 : 654 ~
/ 1999. / DC and low-frequency noise characteristics of SiGe P-channel FET's designe for 0.13-μm technology 46 (7) : 1514 ~
/ 1999. / Low frequency measurements of P-channel Si1-x Gex MOSFETs 46 (7) : 1484 ~
/ 1981. / Experimental studies in 1/f noise 44 (5) : 497 ~
/ 1990. / A unified model for the flicker noise in metal-oxide-semiconductor field effect transistor 37 : 654 ~
/ 1999. / DC and low-frequency noise characteristics of SiGe P-channel FET's designe for 0.13-μm technology 46 (7) : 1514 ~
/ 1999. / Low frequency measurements of P-channel Si1-x Gex MOSFETs 46 (7) : 1484 ~
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