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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제5호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 173 - 179 (7page)
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The influence of heavily Si impurity doping in the GaN barrier of InGaN/GaN multi-quantum well structures of blue light emitting diodes were investigated by growing samples in metal-organic chemical vapor deposition. The delta-doped sample was compared to the sample with the undoped barrier. The delta-doped sample shows the tunneling behavior and forms the energy level of 0.32 eV for tunneling and the photoemission of the 450-nm band. The photo-luminescence shows the blue-shifted broad band of the radiative transition due to the inclusion of Si delta-doped layer indicating that the delta doping effect acts to form the higher energy level than that of quantum well. The dislocation may provide the carrier tunneling channel and plays as a source of acceptor. During the tunneling of hot carrier, there was no light emission.
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/ 1990. / Delta doping of III V compound semiconductors J. of Vac. Sci. & Technol. A 8 : 2980 ~
/ 1991. / Tunneling spec-troscopy of resonant transmission coefficient in double barrier structure 30 : 1164 ~ 1
/ 1993. / Influence of impurities on the performance of doped-well GaInAs/InP resonant tunneling diodes 32 : 243 ~ 2
/ 1993. / Si-doped InGaN films grown on GaN films 32 : 16 ~ 2
/ 1990. / Delta doping of III V compound semiconductors J. of Vac. Sci. & Technol. A 8 : 2980 ~
/ 1991. / Tunneling spec-troscopy of resonant transmission coefficient in double barrier structure 30 : 1164 ~ 1
/ 1993. / Influence of impurities on the performance of doped-well GaInAs/InP resonant tunneling diodes 32 : 243 ~ 2
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