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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제8호
발행연도
2006.1
수록면
701 - 706 (6page)

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In addition to its similarity to genuine diamond film, diamond-like carbon (DLC) film has many advantages, including its wide band gap and variable refractive index. In this study, DLC films were prepared by the RF PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method on silicon substrates using methane (CH4) and hydrogen (H2) gas. We examined the effects of the post annealing temperature on the structural variation of the DLC films. The films were annealed at temperatures ranging from 300 to 900 oC in steps of 200 oC using RTA equipment in nitrogen ambient. The thickness of the film and interface between film and substrate were observed by surface profiler, field emission scanning electron microscopy (FESEM), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), respectively. Raman and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed that DLC films were graphitized (ID/IG, G-peak position and sp2/sp3 increased) ratio at higher annealing temperature. The variation of surface as a function of annealing treatment was verified by a AFM and contact angle method.

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