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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제4호
발행연도
2002.1
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The vertically well-aligned carbon nanotubes(CNTs) were successfully grown on Ni coated silicon wafer substrate by DC bias-assisted PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). As a catalyst, Ni thin film of thickness ranging from 15～30nm was prepared by electron beam evaporator method. In order to find the optimum growth condition, the type of gas mixture such as C2H2-NH3 was systematically investigated by adjusting the gas mixing ratio at 570℃ under 0.4Torr. The diameter of the grown CNTs was 40～200nm and the diameter of the CNTs increased with increasing the Ni particles size. TEM images clearly showed carbon nanotubes to be multiwalled. The measured turn-on field was 3.9V/μm and an emission current of 1.4×10-4A/cm2 was 7V/μm. The CNTs grown by bias-assisted PECVD was able to demonstrate high quality in terms of vertical alignment, crystallization of graphite and the processing technique at low temperature of 570℃ and this can be applied for the emitter tip of FEDs.
#carbon nanotube #PECVD #catalyst #FEDs

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