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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제2호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 62 - 66 (5page)
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We report on the growth mechanism of vertically aligned carbon nanotubes (VACNTs) using ultra thin Ni catalysts and direct current plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The CNTs were grown with -600 V bias to substrate electrode and catalyst thickness variation of 0.07 nm to 3 nm. The CNT density was reduced with catalyst thickness reduction and increased growth time. Cone like CNTs were grown with ultra thin Ni thickness, and it results from an etch of carbon network by reactive etchant species and continuous carbon precipitation on CNT walls. Vertically aligned sparse CNTs can be grown with ultra thin Ni catalyst.
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C. Bower / 2000 / Nucleation and growth of carbon nanotubes by microwave plasma chemical vapor deposition / Appl. Phys. Lett 77 : 2767 ~
J.M. Bonard / 2000 / Tuning the field emission properties of patterned carbon nanotube films / Adv. Mat 13 : 184 ~
Kyu-Chang Park / 2004 / Bias Polarity E ect on the Growth of CNTs by a Triode DC-PECVD / Journal of the Korean Physical Society 45 (3) : S833 ~
M.A. Guillorn / 2002 / Self-aligned gated field emission devices using single carbon nanofiber cathodes / Appl. Phys. Lett 81 : 3660 ~
S. Iijima / 1991 / Helical microtubules of graphitic carbon / Nature 354 : 56 ~
J.M. Bonard / 2000 / Tuning the field emission properties of patterned carbon nanotube films / Adv. Mat 13 : 184 ~
Kyu-Chang Park / 2004 / Bias Polarity E ect on the Growth of CNTs by a Triode DC-PECVD / Journal of the Korean Physical Society 45 (3) : S833 ~
M.A. Guillorn / 2002 / Self-aligned gated field emission devices using single carbon nanofiber cathodes / Appl. Phys. Lett 81 : 3660 ~
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