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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권
발행연도
2003.1
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Crystalline carbon nitride films have been deposited by RF reactive magnetron sputtering system with negative DC bias. The carbon nitride films deposited on various substrates showed α-C3N4, β-C3N4 and lonsdaleite structures through XRD and FTIR. We can find the grain growth of hexagonal structure from SEM photographs, which is coincident with the theoretical carbon nitride unit cell. When nitrogen gas ratio is 70 % and RF power is 200 W, the growth rate of carbon nitride film on quartz substrate is about 2.1 μm/hr.
#Carbon nitride films #RF magnetron sputter #Si wafer #Alumina

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