REACTIVE SPUTTER DEPOSITION OF TITANIUM NITRIDE FILMS

David J. Ha ,  a

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Plasma Characterization of Facing Target Sputter System for Carbon Nitride Film Deposition

이지공 ,  이성필

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2004 .01

마그네트론 스터퍼에 의한 Carbon Nitride 박막의 합성 및 특성에 관한 연구

朴球範

전기학회논문지 P

2003 .09

Sputtering Deposition 의 특성과 그 응용

권식철

한국표면공학회지

1981 .03

Tin Nitride Thin Films Fabricated by Reactive RF Magnetron Sputtering at Various Nitrogen Gas Ratios

Sujin Choi ,  Juyun Patk ,  Jisoo Kang 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Effects of Substrate Temperature and Deposition Angle on Crystallinity of Tin-nitride Films Synthesized by Reactive Sputtering

Masataka Kato ,  Taku Ishii ,  Yusuke Ohta 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

SYNTHESIS OF CARBON NITRIDE THIN FILMS BY PLASMA PROCESSING

Osamu Takai ,  Yusuke Taki ,  Toshihisa Kitagawa

한국표면공학회지

1996 .10

기판과 성장조건에 따른 질화탄소막의 결정성장 특성

이성필 ,  이지공

전기전자재료학회논문지

2003 .01

반응성 스퍼터링으로 성장된 결정성 질화탄소막의 기계적 특성

강종봉 ,  이성필

전기전자재료학회논문지

2002 .01

RF-magnetron sputter법을 이용한 silicon nitride 박막의 제조

하윤정 ,  이상운 ,  신재혁 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2003 .10

Reactive Sputtering을 이용한 Molybdenum Nitride의 제조 ( Molybdenum Nitride Formation by Reactive Sputtering )

김진섭 ,  이종현 ,  이우일

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

Characteristic of Nitrogen doped Diamond-Like Carbon film on the Silicon substrates

Van Cao Nguyen ,  Tae Hyeon Kim ,  Hye Sung Kim 외 2명

한국기계가공학회지

2013 .04

저압가스질화에서 탄소강의 초기 화합물층 형성 거동

김윤기 ,  김상권

한국표면공학회지

2011 .06

결정성 질화탄소막의 습도 감지특성에 관한 연구

이성필 ,  하세근 ,  김정훈 외 1명

전기전자재료학회논문지

2004 .01

Reactive Sputtering 법으로 제조된 Tungsten Nitride 박막의 열적 안정성 및 전기저항

이기선 ,  이병학 ,  손동균

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

초기 스퍼터링조건이 스테인리스강의 이온질화시 질화층 형성거동에 미치는 영향

최상진 ,  손명숙 ,  이대용 외 1명

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

1999 .10

증착율 변화에 따른 TIO 박막의 전기적, 광학적 특성 변화

문현주 ,  김대일

열처리공학회지

2016 .01

Simulation and Characteristic Measurement with Sputtering Conditions of Triode Magnetron Sputter

김현후 ,  임기조

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2004 .01