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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제7호
발행연도
2004.1
수록면
713 - 717 (5page)

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In this study, the etched trench properties including cross-sectional profile, surface roughness, and crystalline defects were investigated depending on the various silicon etching and additive gases. For the case of HBr/He-O2/SiF4 trench etching gas mixtures, the excellent trench profile and minimum defects in the silicon trench were achieved. Due to the residual oxide film grown by the additive oxygen gas, which acts as a protective layer during trench etching, the undercut and defects generation in the trench were suppressed. To improve the electrical characteristics of trench gate, the hydrogen annealing process after trench etching was also adopted. Through the hydrogen annealing, the trench corners might be rounded by the silicon atomic migration at the trench corners having high potential. The rounded trench corner can afford to reduce the gate electric field and grow a uniform gate oxide. As a result, dielectric strength and TDDB characteristics of the hydrogen annealed trench gate oxide were remarkably increased compared to the non-hydrogen annealed one.
#Trench gate #DMOSFET #On-resistance

목차

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참고문헌 (8)

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/ 1987. / An ultra-low on-resistance power MOSFET fabricated by using a fully self-aligned process ed-34 (7) : 926 ~ google schola / 1997 / A 1 million-cell 2.0 mΩ, 30V Trench FET utilizing 32 Mcell/in2 density with distributed voltage clamping : 363 ~ google schola / 1999 / 25V-13 mΩ-mm2 low on-resistance novel structure trench gate LDMOS : 120 ~ google schola / 1999. / A new concept for the lateral DMOS transistors for smart power ICs : 73 ~ google schola / 2000. / 레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT : 371 ~ google schola

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