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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제10호
발행연도
2010.1
수록면
759 - 762 (4page)

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In this investigation, the effects of N2/(Ar+N2) gas partial pressure on the structural, electrical, and thermal properties of AlN dielectric layers prepared on aluminum substrates using RF-magnetron sputtering method were analyzed. Among the films, the AlN dielectric film deposited under N2/(Ar+N2) gas partial pressure of 75% exhibit the highest AlN (002) preferred orientation, which was grain size of about 15.32 nm and very dense structure. We suggest the possibilities of it`s application as a dielectric layer for metal PCB because the AlN films prepared at optimized gas partial pressure can improving the insulating property, the thermal conductivity, and thermal diffusivity of the films.
#Aluminum nitride #RF-magnetron sputtering #Metal PCB #Dielectric layer

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