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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제10호
발행연도
2007.1
수록면
839 - 845 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2008

Si 기판연마 성능 향상을 위한 연마패드의 개선
박재홍 ,  Koichi Yoshida ,  Aki 외 3명 대한기계학회 춘추학술대회 2008.06 학술대회자료

2007

연마성능 제어를 위한 연마패드표면 해석과 개선
박재홍 ,  키노시타 마사하루 ,  요시다 코이치 외 2명 전기전자재료학회논문지 2007.01 학술저널

초록· 키워드

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In this paper, a polishing pad has been analyzed in detail, to understand surface phenomena of polishing process. The polishing pad plays a key role in polishing process and is one of the important layer in polishing process, because it is a reaction layer of polishing[1]. Pad surface physical property is also ruled by pad profile. The profile and roughness of pad is controlled by different types of conditioning tool. Conditioning tool add mechanical force to pad, and make some roughness and profile. Formed pad surface will affect on polishing performance such as RR (Removal Rate) and uniformity in CMP. Pad surface condition is changed by conditioning tool and dummy run and is stable at final. And this research, we want to reduce break-in and dummy polishing process by analysis of pad surface and artificial machining to make stable pad surface. The surface treatment or machining enables to control the surface of polishing pad. Therefore, this research intends to verify the effect of the buffing process on pad surface through analysis of the removal rate, friction force and temperature. In this research, urethane polishing pad which is named IC pad(Nitta-Haas Inc.) and has micro pore structure, is studied because, this type of pad is most conventional type.
#CMP #Chemical mechanical planarization) #Conditioning #Break-in #Profile #Wettability

목차

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참고문헌 (9)

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A. Scot Lawing / 2005 / “Pad conditioning and textual effect in chemical mechanical polishing", 9th CMP-MIC, Session 2 : 33 ~ google schola Gregory P. Muldowney / 2005 / On the contact mechanics and fluid mechanics of CMP oad texture / 10th International CMP Symposium google schola Gregory P. Muldowney / 2005 / “Optimization CMP pad groove arrays for improve slurry transport, wafer profile correction, and defectivity reduction", 9th CMP-MIC, Session 4 : 156 ~ google schola Huey. S / 1999 / Thecnology breakthrough in pad pad life improvement and its impact on CMP CoC / Advanced Semiconductor Manufacturing : 54 ~ google schola N. H. Kim / 2007 / Temperature effects of pad conditioning process on oxide CMP: Polishing pad, slurry characteristics, and surface reactions / Microelectronic Engineering 83 google schola

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