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Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제21권 제11호
발행연도
2004.11
수록면
46 - 52 (7page)

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CMP (Chemical-Mechanical Polishing) is a process in which both chemical and mechanical mechanisms act simultaneously to produce the planarized wafer. CMP process is an extensive usage and continuing high growth rates in the semiconductor industry. The understanding of the process, however, is much slower. The nature of material removal from the wafer is still undefined and ambiguous. Material removal rate according to the slurry flow rate is also undefined and ambiguous. Thus, in this study, the basic mechanism of material removal rate as slurry flow rate is defined in terms of energy supply and energy loss.
#CMP(화학 기계적 연마) #Slurry flow rate(슬러리 공급비율) #Cooling effect(냉각효과) #Chemical energy(화학 에너지) #Removal rate(연마율) #Energy supply(에너지 공급) #Energy loss(에너지 손실) #Temperature(온도) #Heat generated(열 발생)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 이론적 고찰
3. 실험 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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