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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제4호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 204 - 209 (6page)
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Photo Resist (PR) ashing process was carried out with the atmospheric pressure - dielectric barrier discharge (ADBD) using SF6/N2/O2. Ashing rate (AR) was sensitive to the mixing ratio of the oxygen and nitrogen of the blower type of ADBD asher. The maximum AR of 5000 Å/min was achieved at 2 % of oxygen in the N2 plasma. With increasing the oxygen concentration to more than 2 % in the N2 plasma, the discharge becomes weak due to the high electron affinity of oxygen, resulting in the decrease of AR. When adding 0.5 % of SF6 to O2 / N2 mixed plasma, the PR AR increased drastically to 9000 Å/min and the ashed surface of PR was smoother compared to the processed surface without SF6. Carbon Fluorinated polymer may passivate the PR surface. It was also observed that the glass surface was not damaged by the fluorine.
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/ / The measurement of the electron density and temperature using an OES Physics of Plasma submitted in 2006
/ / http://snf.stanford.edu/Process/WetProcessing/Resist Strip.html.
/ 1964. / I. Spectra of diatomic molecules 2nd Edition : 200 ~
/ 1994. / Determination of the electron affinities of molecules using negative ion mass spectrometry 98 : 88 ~
/ 1997. / Development and investigation of microwave plasma techniquesin analytical atomic spectrometry 52 : 131 ~
/ / http://snf.stanford.edu/Process/WetProcessing/Resist Strip.html.
/ 1964. / I. Spectra of diatomic molecules 2nd Edition : 200 ~
/ 1994. / Determination of the electron affinities of molecules using negative ion mass spectrometry 98 : 88 ~
/ 1997. / Development and investigation of microwave plasma techniquesin analytical atomic spectrometry 52 : 131 ~
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