Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of In-Si-O/Ag/In-Si-O Multilayer

Jiao Long Yu; 이상렬

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자료유형: 학술저널

저자정보: Jiao Long Yu 이상렬

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제4호

발행연도: 2016.1

수록면: 201 - 203 (3page)

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Transparent conductive multilayers have been fabricated using transparent amorphous Si doped indium oxide(ISO) semiconductors and metallic Ag of ISO/Ag/ISO. The resistivity of a multilayer is dependent on the middlelayer thickness of silver. The thickness of the Ag layer is fixed at 11 nm and takes into account cost and opticaltransmittance. As-deposited ISO/Ag (11 nm)/ISO multilayer shows a measured resistivity of 7.585×10-5 Ω cm. Aftera post annealing treatment of 400℃, the resistivity is reduced to 4.332×10-5 Ω cm. The reduction of resistivity shouldbe explained that the mobility of the multilayer increased due to the optimized crystalline, meanwhile, the Hallconcentration of the multilayer showed an obscure change because the carriers mainly come from the insert of the Aglayer.

#Si doped InO #Thermal annealing #Electrical property

참고문헌 (9)

참고문헌 신청

G. Gonçalves / 2007 / Influence of post-annealing temperature on the properties exhibited by ITO, IZO and GZO thin films / Thin Solid Films 515(24):8562~8566

Hye-Min Lee / 2013 / Transparent and flexible amorphous In-Si-O films for flexible organic solar cells / Applied Physics Letters 102(2):021914

IlJoon Kang / 2012 / Role of Si as carrier suppressor in amorphous Zn–Sn–O / Current Applied Physics 12:S12~S16

A. Bou / Thin Solid Films

Toshio Kamiya / 2010 / Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors / NPG Asia Materials 2(1):15~22

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