Optical and Electrical Properties of Oxide Multilayers

한상민; 이상렬; Jiao Long Yu

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자료유형: 학술저널

저자정보: 한상민 이상렬 Jiao Long Yu

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제4호

발행연도: 2016.1

수록면: 235 - 237 (3page)

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Oxide/metal/oxide (OMO) thin films were fabricated using amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) andan Ag metal layer on a glass substrate at room temperature. The optical and electrical properties of the a-IGZO/Ag/a-IGZO samples changed systemically depending on the thickness of the Ag layer. The transmittance in the visiblerange tends to decrease as the Ag thickness increases while the resistivity, carrier concentration, and Hall mobilitytend to improve. The a-IGZO/Ag (13 nm)/a-IGZO thin film with the optimum Ag thickness showed an averagetransmittance (Tav) of 71.7%, resistivity of 6.63 × 10-5 Ω·cm and Hall mobility of 15.22 cm2V-1s-1.

#a-InGaZnO #Multilayer #Ag thickness #Hall measurement #Transparent conductive oxide

참고문헌 (19)

참고문헌 신청

Claes G. Granqvist / 2007 / Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic review / Solar Energy Materials and Solar Cells 91(17):1529~1598

T. Minami / 2005 / Semicond. Sci. Technol 20:S35

G. Gonçalves / 2007 / Influence of post-annealing temperature on the properties exhibited by ITO, IZO and GZO thin films / Thin Solid Films 515(24):8562~8566

Tadatsugu Minami / 2008 / Substitution of transparent conducting oxide thin films for indium tin oxide transparent electrode applications / Thin Solid Films 516(7):1314~1321

Soo-Ghang Ihn / 2011 / ITO-free inverted polymer solar cells using a GZO cathode modified by ZnO / Solar Energy Materials and Solar Cells 95(7):1610~1614

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