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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제4호
발행연도
1993.12
수록면
501 - 506 (6page)

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Langmuir probe를 사용하여 UHV-ECRCVD 장치에서 기판에 가해진 DC 바이어스에 따른 플라즈마내의 공간적 전위 분포를 측정하였다. 양의 바이어스를 기판에 가하는 경우 플라즈마내의 공간적 전위 분포는 B-field를 따라 cavity로부터 기판으로 down-stream되는 이온의 flux 및 에너지를 감소시키는 오르막의 전위 분포를 갖게 되며 음의 바이어스를 가하는 경우는 down-stream되는 이온의 flux 및 에너지를 증가시키는 내리막의 전위 분포를 갖게 된다. DC 바이어스가 저온 실리콘 에피탁시(560℃ 이하)에 미치는 영향을 in situ reflection high energy electron diffraction(RHEED), cross-section transmission electron microscopy(XTEM), plan-view TEM 및 high resolution TEM(HRTEM)으로 고찰하였다. 음의 바이어스를 가한 기판에는 다결정 실리콘이 성장되고 양의 바이어스를 가한 기판에는 단결정 실리콘이 성장되며 다결정 실리콘의 성장 속도보다 단결정 실리콘의 성장속도가 낮은 것으로 관찰되었다. 플라즈마 증착 중 DC 바이어스에 의한 이온 에너지의 조절은 UHV-ECRCVD에 의한 저온 실리콘 에피탁시에 있어서 중요한 역할을 한다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 실험과정

3. 결과 및 토론

4. 결론

참고문헌

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