메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제1호
발행연도
1996.3
수록면
77 - 84 (8page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Penning 방전에 의한 실리콘박막 증착실험을 5% SiH₄와 초순수 Ar을 혼합하여 수행하였고 반응기체 조성, 증착온도, 방전전력 등의 증착조건들이 증착속도와 박막의 결정성 및 morphology에 미치는 영향을 고찰하였다. 방전영역 내의 자기장 (800 G)에 의해 1 mTorr 이하의 비교적 낮은 압력에서 방전전류가 수 백배 증가하였고 플라즈마 한정효과를 얻을 수 있었다. 자기장에 의한 플라즈마 밀도 증가에 의해 0.7 sccm의 SiH₄ 에 대해 800℃에서 300 Å/min의 비교적 큰 증착속도를 보였다. Raman 스펙트럼, XRD와 SEM 분석결과로부터 800℃이상에서는 매끈한 표면의 단결정 실리콘, 400℃에서는 비정질 실리콘이 성장하였고 그 사이 영역의 온도에서는 거친 표면의 다결정 실리콘이 성장하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001260685