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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제3호
발행연도
1996.9
수록면
245 - 250 (6page)

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기판온도 약 500℃, 진공도 ~10^(-5) Torr에서 이온화된 cluster 빔 증착(ICBD)법으로 Y₂O₃ 박막을 Si(100) 위에 제조하였다. Si의 산화를 억제하기 위해서 얇은 층의 Yttrium막을 형성한후 산소와 Yttrium 원소를 반응증착시켰다. 증착한 상태의 X-선 회절분석에서 b.c. c 및 h.c. p 구조의 Y₂O₃가 관찰되었다. 제한시야 (selected area diffractin:SAD) pattern 분석에서 spot과 ring pattern들이 관찰되었는데 증착중에 결정형성 및 결정성장이 일어났음을 알 수 있었다. 고분해 투과전자현미경(hgih resolution transmition electron microscopy : HRTEM) image에서 Y₂O₃/mixed layer/SiO₂=170Å/50Å/10Å의 구조가 관찰되었으며 비정질상인 SiO₂의 형성에 대해 검토하였다. 증착된 Y₂O₃의 전기적 특성은 Pt/Y₂O₃/Si 구조에서 누설전류 밀도는 10^(-6) A/㎠ 이하로 나타났으며, breakdown 강도는 7㎹/㎝로 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과

4. 고찰

5. 결론

후기

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