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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1994.12
- 수록면
- 442 - 448 (7page)
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용액분무법으로 RuO₂ 박막을 석영 기판위에 성장시켰다. RuO₂ 박막의 결정구조는 정방구조이며 격자상수 a。=4.508 A, c。=3.092 A이였다. RuO₂ 박막은 금속성 전도성을 나타냈다. RuO₂ 박막의 광흡수도는 후열처리함에 따라 증가하였고 박막의 광흡수도의 최소값은 후열처리 온도에 의존하지 않으며 에너지로 환산하면 ~2.0 eV로 거의 일정하였다. RuO₂ 박막의 후열처리의 온도와 후열처리 분위기가 기판위에 성장된 RuO₂ 박막의 표면형태, gram 크기, grain 경계폭, 전기적 특성 등에 영향을 마쳤다. RuO₂ 박막이 실험실내의 공기중에 노출됨으로서 시료의 표면에 S와 C가 물리 흡착되었으며 sputtering 시간이 증가함에 따라 Ar^+ 이온 빔의 충격으로 RuO₂가 부분적으로 환원되어 O 원자의 피크 대 피크 높이가 감소하여 O/Ru의 피크 높이의 비가 낮게 관측되었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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