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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제3호
발행연도
1994.9
수록면
322 - 330 (9page)

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다결정 실리콘 위에 저압 화학 증착법으로 비정질 WSix 를 증착시킨 후에 질소 분위기, 870℃ 온도에서 2시간 동안 열처리를 실시하여 결정화를 이룩한 다음, 표면의 산화막을 희석된 불산용액으로 제거한 후 산화를 실시하면 이상산화막이 형성이 되었다. 이와 같은 이상 산화막 형성은 산화 공정전에 P 또는 As 이온 주입을 실시함으로써 억제되고 있었으며, P이온 주입 처리가 As 이 온주입보다 이상산화막 발생 억제에 보다 효율적임이 확인되었다. P이온 주입 처리가 보다 효과적인 것은 산화시 산화막내에 형성되는 P₂O_5 가 산화막의 용융점을 크게 낮추어 양칠의 산화막을 형성하는 데 기인하는 것으로 여겨진다. 마지막으로 이온 주입 처리에 의하여 비정질화된 텅스텐 실리사이드 표면의 산화 기구에 대하여 제안하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과

4. 고찰

5. 결론

참고문헌

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