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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제4호
발행연도
1997.11
수록면
326 - 336 (11page)

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트랜지스터의 소오스/드레인 접합 특성에 가장 큰 영향을 미치는 인자는 이온 주입시 발생한 실리콘 내에 발생한 결함이라는 사실에 착안하여, 기존 소오스/드레인 접합 형성 공정과 다른 새로운 방식을 도입하여 이온 주입에 의해 생긴 결함의 제어를 통해 고품질 초 저접합 p^+-n 접합을 형성하였다. 기존 p^+ 소오스/드레인 접합 형성 공정은 (49)^BF₂ 이온 주입 후 층간 절연막들인 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 막과 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막을 증착 후 BPSG막 평탄화를 위한 furnace annealing 공정으로 진행된다. 본 연구에서는 이러한 기존 공정과는 달리 층간 절연막 증착 전 저온 RTA 첨가 방법, (49)^BF₂와 ¹¹B을 혼합하여 이온 주입하는 방법, 그리고 이온 주입 후 잔류 산화막을 제거하고 MTO(Medium temperature CVD oxide)를 증착하는 방법을 제시하였으며, 각각의 방법은 모두 이온 주입에 의한 실리콘 내 결함 농도를 줄여 기존의 방법보다 더 우수한 양질의 초 저접합을 형성할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 결함 제어 방법

3. 실험 방법

4. 결과 및 고찰

5. 결론

감사의 글

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