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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제3호
발행연도
2002.9
수록면
151 - 158 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2002

B10H₁₄ 이온 주입을 통한 ultra - shallow p+ - n junction 형성 및 전기적 특성
송재훈 ,  김지수 ,  임성일 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 2002.09 학술저널
Decaborane 이온 주입법에 의한 ultra - shallow p+ / n junction의 전기적 특성에 관한 연구
송재훈 ,  송종한 ,  임성일 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료

2001

B10H₁₄을 이용한 ultra shallow - junction 형성 및 전기적 특성
송재훈 ,  송종한 ,  이준엽 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.07 학술대회자료

초록· 키워드

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Decaborane B_(10)H₁₄ 이온 주입법으로 n-type Si (100) 기판에 ultra-shallow p^+-n 접합을 형성시켰다. 이온 주입에너지는 5 ㎸와 10 ㎸, 이온 선량은 1×10¹²/㎠와 1×10¹³/㎠로 decaborane을 이온 주입시켰다. 이온 주입된 시료들은 N₂ 분위기에서 800℃, 900℃, 1000℃에서 10초 동안 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리를 하였다. 또한 가속 에너지에 따른 결함을 확인하기 위해서 15 ㎸의 이온 주입 에너지에서 1×10¹⁴/㎠만큼 이온 주입하였다. 2 MeV ⁴He^(2+) channeling spectra에서 15 ㎸로 주입된 시료가 bare n-type Si와 5 ㎸, 10 ㎸의 에너지로 주입된 시료보다 주입시 생긴 결함에 의해 backscattering yield가 더 높게 나타났으며 spectra로부터 얻은 이온 주입으로 인한 비정질층의 두께는 표면으로부터 가속전압이 5 ㎸, 10 ㎸, 15 ㎸일 때 각각 1.9 ㎚, 2.5 ㎚, 4.3 ㎚였다. 10 ㎸에서 이온 주입된 시료를 800℃ 열처리 한 결과 결함의 회복으로 인해 bare Si와 비슷한 backscattering yield를 보였으며 이때의 계산된 비정질 층의 두께는 0.98 ㎚이었다. 홀 측정과 면저항 측정은 dopant의 활성화가 주입된 에너지, 이온 선량, 열처리 온도에 따라 증가함을 보여주었다. I-V 측정 결과 누설 전류 밀도는 열처리 온도가 800℃에서 1000℃까지 증가함에 따라 감소하였고 주입에너지가 5 ㎸에서 10 ㎸까지 증가함에 따라 증가하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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