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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제1호
발행연도
2003.3
수록면
55 - 63 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

가스 클러스터 이온빔을 이용한 고체 표면 평탄화 및 식각에 대한 연구
송재훈 ,  최덕균 ,  최원국 Applied Science and Convergence Technology 2003.03 학술저널

2002

클러스터이온빔을 이용한 고체 표면 평탄화, 스퍼터링, 에칭 현상에 대한 연구
송재훈 ,  최원국 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료
가스 클러스터 이온 빔에 의한 고체표면 식각에 관한 연구
송재훈 ,  최원국 ,  최덕균 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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150 kV급 가스 클러스터 이온 가속기를 제작하여 CO₂와 N₂O 클러스터의 크기를 비행시간 측정법을 통하여 조사하였다. Isolated cluster ion impact를 통하여 클러스터 이온이 고체 표면과 충돌시 1 nm 정도 높이와 수십 nm 폭을 가지는 hillock을 형성시키는 것을 원자간 척력 현미경으로 관찰하였다. 또한 hillock이 존재하는 ITO 표면에 CO₂ 클러스터 이온을 조사하면 단원자 이온의 충돌시 보이는 sharpening 현상과는 다른 다중 충돌에 의한 sputtering 효과가 관찰되었으며, 25 kV의 가속 전압에서 CO₂ 클러스터 이온을 5×10¹⁴/㎠ 만큼을 ITO 표면에 조사시킨 경우에는 표면이 평탄화되었다. 또한 표면 거칠기가 0.3 nm 정도인 Si 기판 위에 CO₂ 클러스터 이온을 조사하면서 이온 조사량에 따른 표면 형상 및 거칠기의 변화를 조사하였다. 1012/㎠ 이하의 낮은 이온 조사량에서는 hillock 들의 형성과 그 밀도의 증가로 표면의 거칠기가 증가하는 surface embossment 현상이 지배적으로 이루어졌으며, 형성된 hillock의 면적과 비조사된 곳의 면적이 같아지는 임계 이온 조사량부터는 hillock이 스퍼터링되고 그 원자들의 표면확산에 따른 hillock 사이의 valley들이 채워지는 스퍼터링과 표면의 평탄화가 이루어지는 구간이 관찰 되었고, 그 이후 더 높은 이온 조사량부터는 깊이 방향으로의 식각이 진행되는 연차적인 충돌과정이 관찰되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 클러스터 이온 가속기

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의글

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