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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제1호
발행연도
2004.3
수록면
1 - 8 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2005

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
우형주 ,  최한우 ,  배영호 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2005.06 학술저널

2004

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
우형주 ,  최한우 ,  김기동 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2004.08 학술대회자료
lon - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구
우형주 ,  최한우 ,  김준곤 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2004.03 학술저널

2003

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구
우형주 ,  최한우 ,  김준곤 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.08 학술대회자료

초록· 키워드

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양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하고자 하였다. TRIM 전산모사결과 표준 SOI 웨이퍼 (200 ㎚ SOI, 400 ㎚ BOX) 제조를 위해서는 65 keV의 양성자주입이 요구 됨을 알 수 있었다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건 (온도 및 시간)에 따른 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 6~9×10^(16) H^+/㎠ 이며, 최적 아닐링조건은 550℃에서 30분 정도로 나타났다. 주입된 수소의 깊이분포는 타 RED(Elastic Recoil Detection)와 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry) 측정에 의해 실험적으로 확인되었다. 아울러 상해층의 미세구조 형성기구를 X-TEM 측정을 통해 조사하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 및 논의

3. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (4)

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[학술지(정기간행물)] - / / Next generation Semiconductor Wafer, SOI wafer and its manufacturing method invented by Canon, Eltran google schola [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Wafer direct bonding: tailoring adhesion between brittle materials R25 : 1 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Goesele, Semiconductor Wafer Bonding-Science & Technology : 1 ~ 15 google schola [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Silicon Wafer Bonding Technology for VLSI and MEMS Applications, The Institution of Electrical Engineers google schola

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