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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제2회 학술발표회논문개요집
발행연도
1992.2
수록면
93 - 94 (2page)

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2X10^(18) ions/㎠ 의 산소이온이 180 keV 로 주입된 실리콘웨이퍼를 1250℃ 에서 6시간동안 질소분위기로 열처리하여 SIMOX SOI 구조를 제안하였다. 이온주입 후 열처리 과정에서 산소원자의 거동을 AES 와 TEM 으로 분석하였고, SRP 법으로 시료의 전 ... 전체 초록 보기

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-554-017989700