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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제14권 제2호
발행연도
2005.6
수록면
91 - 96 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2005

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
우형주 ,  최한우 ,  배영호 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2005.06 학술저널

2004

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
우형주 ,  최한우 ,  김기동 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2004.08 학술대회자료
lon - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구
우형주 ,  최한우 ,  김준곤 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2004.03 학술저널

2003

Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구
우형주 ,  최한우 ,  김준곤 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.08 학술대회자료

초록· 키워드

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양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하였다. SRIM 전산모사에 의하면 일반 SOI 웨이퍼 (200 ㎚ SOI, 400 ㎚ BOX) 제조에는 65 keV의 양성자주입이 요구된다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건(온도 및 시간)에 따른 blistering 및 flaking 등의 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 6~9×10^(16)H^+/㎠이며, 최적 아닐링조건은 550℃에서 30분 정도로 나타났다. RCA 세정법으로서 친수성표면을 형성하여 웨이퍼 직접접합을 수행하였으며, IR 조사에 의해 무결함접합을 확인하였다. 웨이퍼 분리는 예비실험에서 정해진 최적조건에서 이루어졌으며, SOI층의 안정화를 위해 고온열처리(1,100℃, 60분)를 시행하였다. TEM 측정상 SOI 구조결함은 발견되지 않았으며, BOX(buried oxide)층 상부계면상의 포획전하밀도는 열산화막 계면의 낮은 밀도를 유지함을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 논의

4. 결론

감사의 글

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