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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제1호
발행연도
1995.3
수록면
109 - 117 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1996

고에너지 이중이온주입(3 MeV P+ + 3 MeV C+) 한 실리콘의 결함거동
조남훈 ,  허태훈 ,  노재상 한국진공학회 학술발표회초록집 1996.06 학술대회자료
MeV 이온주입된 단결정 실리콘내의 이차결함 형성기구
조남훈 ,  노재상 한국진공학회 학술발표회초록집 1996.02 학술대회자료
MeV $B^+$ 이온주입에 의한 Self-Gettering 효과
조남훈 ,  허태훈 ,  노재상 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

1995

3 MeV P+ 이온주입된 실리콘의 열처리에 따른 X - ray Rocking Curve 분석
조남훈 ,  장기완 ,  김창수 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1995.03 학술저널

초록· 키워드

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고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray 와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3 MeV P^+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과 조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표연 부근에 회박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3 MeV P^+, 1×10^(15)/㎠의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 550℃에서 700℃로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7×10^(-4)에서 2.9×10^(-4)으로 감소함이 관찰되었다. 특히 550℃ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터~1.5 ㎛ 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리 온도를 700℃로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 700℃ 열처리시 60˚전위와 <112> 막대 모양 결함, 1000℃ 열처리시 <110> 방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

후기

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